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河野 康則; 芳野 隆治; 閨谷 譲; 近藤 貴; 伊世井 宣明; 石田 真一; 飛田 健次; 波多江 仰紀; 伊丹 潔; 逆井 章; et al.
24th EPS Conf. on Controlled Fusion and Plasma Physics, 21A, p.501 - 504, 1997/00
急速放電停止時における逃走電子の発生を抑制できることを実験的に示した。電流クエンチ時の大きな一周電圧により加速される電子が、逃走電子まで加速される前に大きな磁場揺動で排出されることがわかった。磁場揺動は外部ヘリカル磁場コイルの励磁により増大させることができた。典型的な値として、径方向のn=1モード磁場揺動値;B
が~18ガウス(あるいはそのトロイダル磁場との比;B/B
が~0.07%以上)あれば、電流クエンチ率;dI
/dtが-100MA/sのときでも逃走電子発生は抑制される。
玉井 広史; 荘司 昭朗; 永島 圭介; 三浦 幸俊; 山内 俊彦; 小川 宏明; 川島 寿人; 松田 俊明; 森 雅博; 居田 克巳*; et al.
Journal of Nuclear Materials, 220-222, p.365 - 369, 1995/00
被引用回数：17 パーセンタイル：82.2(Materials Science, Multidisciplinary)JFT-2Mトカマクにおける外部ヘリカル磁場の印加による密度限界の改善を、ヘリカル磁場と周辺プラズマの相互作用という観点から調べた。ヘリカル磁場を加えることによりプラズマ周辺部の放射損失が減少し、密度限界が最大30%増加した。密度限界付近での内部インダクタンスはヘリカル磁場の有無にかかわらずほぼ同じ値まで増加する。ヘリカル磁場を加えるとインダクタンスの増加が遅れるため、ヘリカル磁場のないときの限界を越えて密度を上げることができる。荷電交換再結合放射スペクトルを用いた分光測定によると、ヘリカル磁場を加えると正の径方向電場が形成されており、プラズマ周辺部での電子損失の増大と定性的に一致している。密度限界の改善は、この形成された電場が不純物イオンのプラズマ中への混入を防いで周辺部の放射損失を抑制し、内部インダクタンスの増加を抑えたことによると考えることができる。
川島 寿人; 永島 圭介; 玉井 広史; 三浦 幸俊; 荘司 昭朗; 藤田 隆明; 森 雅博; 櫻井 真治*; 上杉 善彦*; 高村 秀一*
プラズマ・核融合学会誌, 70(8), p.868 - 876, 1994/00
JFT-2Mトカマクにおいて外部ヘリカル磁場を加え逃走電子の径方向拡散を調べた。外部ヘリカル磁場を加えると硬X線強度及び端の電子温度が減少し、外部磁場によって作られたプラズマ端のストカスティク磁場構造中で逃走電子と熱の輸送が増大されることが示された。硬X線の時間変化から中心部及び端の逃走電子拡散係数を評価した。端のストカスティック磁場構造中の拡散係数は径方向磁場成分Br/Bt~2
10
においてDs=1m
/sとなり、中心部の拡散係数に比べ約10倍大きくなった。一方、この値は理論的に求められた値に対して、10
倍小さいものである。この大きな違いは、高速電子のドリフト面が磁気面に対し大きくズレることから定性的に説明される。
